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Aperçu Produitséquipement d'essai non destructif

H3543HWF-AG 139μm Panneau DR incurvé en silicium amorphe A-Si

Certificat
LA CHINE HUATEC  GROUP  CORPORATION certifications
LA CHINE HUATEC  GROUP  CORPORATION certifications
Examens de client
produits de la gamme large de NDT, nous pouvons obtenir tous dans le groupe huatec. Nous préférons acheter auprès d'eux. Rudolf Shteinman Russie

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H3543HWF-AG 139μm Panneau DR incurvé en silicium amorphe A-Si

H3543HWF-AG 139μm Panneau DR incurvé en silicium amorphe A-Si
H3543HWF-AG 139μm Panneau DR incurvé en silicium amorphe A-Si H3543HWF-AG 139μm Panneau DR incurvé en silicium amorphe A-Si

Image Grand :  H3543HWF-AG 139μm Panneau DR incurvé en silicium amorphe A-Si

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: HUATEC
Certification: CE
Numéro de modèle: H3543HWF-AG, sous réserve de la teneur en dioxyde de carbone
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 pour cent
Détails d'emballage: Boîte à emballage en carton
Délai de livraison: 10-15 jours ouvrables après acquit de votre paiement
Conditions de paiement: T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 5sets/month

H3543HWF-AG 139μm Panneau DR incurvé en silicium amorphe A-Si

description de
Zones actives: 350 x 430 mm La hauteur des pixels: 139 μm
Résolution: 2560 x 3072 Chaîne d'énergie: 40 à 350 KV
Dynamique: ≥ 84 dB
Mettre en évidence:

Panneau DR incurvé

,

Panneau DR incurvé A-Si

,

Panneau DR incurvé en silicium amorphe

H3543HWF-AG 139μm Panneau DR incurvé au silicium amorphe A-Si

Capteur
Recepteur de type a-Si

Scintilleur Gos

Zones actives350 x 430 mm

Résolution 2560 x 3072

Pixel Pitch 139 μm

Appareils électriques et interface
Conversion A/D 16 bits

Interface de données Gigabit Ethernet/802.11ac (uniquement 5G)

Temps d'acquisition câblé: 1s; sans fil: 3s

Logiciel de contrôle de l'exposition/synchronisation
Mémoire 4 Go DDR4, carte SD 8 Go


Les appareils électroménagers
Dimension 583 x 437 x 21,8 mm
Poids 4,5 kg (sans batterie)

Matériau Alliages d'aluminium et de magnésium

Panneau avant en fibre de carbone

Environnementale

Température 10-35°C (opérationnelle); -10 à 50°C (entreposage)

Humidité de 30 à 70% RH (sans condensation)

Protection contre les intrusions IP54 (adaptée à la norme IP67)

Appareil électrique et batterie

Adaptateur en courant alternatif 100-240V,50-60Hz

Adaptateur de sortie DC 24V,2.7A

Dissipation de puissance < 20 W

Temps de veille 6,5 h

Temps de recharge 4,5 h

Qualité de l'image
Résolution limitante 3,5 LP/mm

Plage d'énergie 40 à 350 KV

Dimension dynamique≥ 84 dB

Sensibilité ≥ 0,54 LSB/nGy

Fantôme < 1% 1ère image

DQE 42% @(1 LP/mm)

28% @ ((2 LP/mm)

Le taux de conversion est le même que pour les autres types de produits.

38% @ ((2 LP/mm)

20% @ ((3 LP/mm)

H3543HWF-AG 139μm Panneau DR incurvé en silicium amorphe A-Si 0

Coordonnées
HUATEC GROUP CORPORATION

Personne à contacter: Ms. Shifen Yuan

Téléphone: 8610 82921131,8618610328618

Télécopieur: 86-10-82916893

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